装置一覧
本施設には,非常に多くの先端的な装置が設置されていますが,専任のスタッフのみですべての装置を維持管理するのは困難のため,ボランティアベースで工学研究科等の多くの教員・スタッフに協力いただいています。そのため,本施設を利用いただく場合には,利用研究室・利用グループの責任者の方に,大学院生の利用の指導や装置トラブルの対応などをお願いしております。
薄膜材料によって,スパッタリング装置,MBE装置などを利用することができます。目的の材料に対して,どの装置が適切か本施設のスタッフにご相談ください。
装置名(メーカー名) |
設置場所 |
設備・機器概要 |
新館1階実験室 |
2インチカソード8本 |
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新館1F階験室 |
蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個 |
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3元マグネトロンスパッタ装置 |
デバイスプロセス室 | 4インチカソード3本,RF電源500 W 2台 |
スプレーコーター一式 |
微細加工室 |
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プラズマCVD装置 |
デバイスプロセス室 | 基板加熱:抵抗加熱式 (~400℃) |
本施設には,複数のマスクアライナが設置されていますので,目的に適した装置を利用いただけます。また,電子線描画装置については,平成25年度にJEOLのJBX6300FSに更新されましたので,従来より精度の高い描画が可能となりました。リソグラフィについては,微細加工ナノプラットフォーム事業で,支援を行っていますので本施設のスタッフまたは,ナノプラットフォーム事務局にお問い合わせください。
装置名(メーカー名) |
設置場所 |
設備・機器概要 |
電子線描画装置 |
マスク室 |
加速電圧:25 / 50 / 100kV 最小ビーム径:2 nm ビーム電流:100 pA - 2 nA 重ね合わせ精度:9 nm |
露光プロセス装置一式 |
微細加工室 |
両面露光が可能 対応基板サイズ:最大4インチ 最小パターン:3.0μm |
マスクレス露光装置 |
微細加工室 |
光源: 365 nm (typ.) LED 露光領域: 100 mm x 100 mm 最小露光線幅: 3 um(10倍対物レンズ), 15um(2倍対物レンズ) |
微細加工室 |
H-D7型,レジストの塗布 | |
スピンコーター |
微細加工室 |
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スピンコーター |
微細加工室 |
最大基板サイズ: φ6インチウェハーまたは100 mm x 100 mm基板 回転数: 20~7,000 rpm |
微細加工室 |
レジストのベーク | |
超音波洗浄器 |
微細加工室 |
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超音波洗浄器 |
デバイスプロセス室 |
発振:38kHz BLT 自励発振, 出力切替(5段階) タイマー設定範囲:最大60分(1分刻みで設定可能) 温度設定範囲:常温~50℃(1℃刻みで設定可能) |
超純水装置 |
微細加工室 |
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ドラフトチャンバー |
微細加工室 |
有機系ドラフト・無機系ドラフト 無機系ドラフトでは純水が使用できます |
マスクアライナー |
微細加工室 |
最大ウェーハサイズ:3 inch(吸引モード),4 inch(ソフトコンタクト) 照射範囲:3×3 inch 対応基板厚さ:4.5 mm 両面露光:可能(赤外線照明) |
マスクアライナー |
微細加工室 |
本施設には,イオン注入装置,反応性エッチング装置,電気炉,ダイシングマシン,ワイヤボンダなどの多くのプロセス装置が設置されています。これらの装置を組み合わせて利用することでナノデバイスなどを開発することが可能となります。本施設では,デバイス作製全般についてノウハウの提供などの支援を行うことができますので,詳細はスタッフにお問い合わせください。
装置名(メーカー名) |
設置場所 |
設備・機器概要 |
反応性イオンエッチング装置 |
デバイスプロセス室 |
サムコ社製 RIE-1C |
ECR-SIMSエッチング装置 |
新館1階実験室 |
ECRイオンガン: |
ICPエッチング装置一式 |
デバイスプロセス室 | 化合物エッチング 対応基板サイズ:最大6インチ基板 プロセスガス:Cl2 |
イオン注入装置 |
デバイスプロセス室 |
加速電圧:30-200kV |
電気炉 |
デバイスプロセス室 |
温度範囲:400-1100℃ |
急速加熱処理装置 |
デバイスプロセス室 |
温度範囲:400~1200℃ |
急速加熱処理装置 |
デバイスプロセス室 |
温度制御範囲: 100~800℃ (TC), 450~1250℃(Pyrometer) |
フェムト秒レーザー加工分析システム |
旧館1階実験室 |
光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000) |
ダイシングソー装置 |
デバイスプロセス室 |
最大ワークサイズ:Φ152.4 mm |
ワイヤボンダー |
デバイスプロセス室 | SW-1-7K |
デバイスプロセス室 |
シリコン基板、サファイア基板をカット可能 |
本施設には,薄膜を中心とする各種材料の構造解析や表面分析を行う装置群が整備されています。装置利用のインストラクションや測定結果の解析の支援などについては,スタッフにお問い合わせください。
装置名(メーカー名) |
設置場所 |
設備・機器概要 |
X線光電子分光装置 |
計測・分析室 |
線源:Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源 |
走査型電子顕微鏡 |
微細加工室 |
線源:冷陰極電界放射型電子銃 |
薄膜X線回折装置 |
計測・分析室 |
Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き |
原子間力顕微鏡 |
新館1F実験室 |
スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm |
小型微細形状測定機一式 |
微細加工室 |
最大サンプルサイズ: φ160×厚さ48mm |
レーザー顕微鏡 |
微細加工室 |
測定用レーザ光源:バイオレットレーザ 408nm |
光学顕微鏡 |
微細加工室 |
対物レンズ x5 ~ x100 |
光学顕微鏡 |
デバイスプロセス室 |
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光学顕微鏡 |
微細加工室 |
対物レンズ x5 ~ x100 |